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发布日期:2024-09-14 04:54    点击次数:71

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IT之家 9 月 11 日音讯,据国度电力投资集团有限公司(以下简称“国度电投”)9 月 10 日音讯,近日,国度电投所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司(以下简称“核力创芯”)暨国度原子能机构核技巧(功率芯片质子辐射)研发中心,完成首批氢离子注入性能优化芯片产物客户托福。

我国半导体制造中枢技巧突破,仅次于光刻的紧迫法式破损海外附近

国度电投示意,这记号着我国已全面掌合手功率半导体高能氢离子注入中枢技巧和工艺,补全了我国半导体产业链中缺失的紧迫一环,为半导体离子注入迷惑和工艺的全面国产替代奠定了基础。

据国度电投先容,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的紧迫法式,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产物制造经由中起着要津作用,该范围中枢技巧及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展,荒谬是 600V 以上高压功率芯片永恒依赖入口。核力创芯的技巧突破,破损了海外附近。

核力创芯在不到三年的时间里,突破多项要津技巧壁垒,杀青了 100% 自主技巧和 100% 装备国产化,建成了我国首个核技巧哄骗和半导体范围交叉学科研发平台。首批托福的芯片产物阅历了累计近万小时的工艺及可靠性测查考据,主要技妙筹谋达到国际先进水平,获取用户高度评价。

IT之家查询获悉,国电投核力创芯(无锡)科技有限公司缔造于 2021 年 03 月 09 日,注册地位于江苏省无锡市开yun体育网,注册老本7022.63 万元。